p-n KAVŞAKLARI
bilimselkonular tarafından yazıldı. Çarşamba, 25 Kasım 2009 00:00
| Makale İçeriği |
|---|
| p-n KAVŞAKLARI |
| p-n KAVŞAĞININ DOĞRU BESLENMESİ |
| p-n KAVŞAĞININ TERS BESLENMESİ |
| p-n KAVŞAĞININ YAPILIŞI |
| p-n KAVŞAĞININ ELEKTRİKSEL DAVRANIŞI |
| Tüm Sayfalar |
p-n KAVŞAKLARININ ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİ
Farklı kirlerle dope edilmiş iki yarı iletken malzeme yüzey yüzeye gelecek biçimde oluşturulursa bir p-n kavşağı meydana getirilir. Elektron ve boşluklar sahip oldukları ısısal enerji nedeniyle hareket ederler. Bu hareket sonucu iki malzemenin yüz yüze geldiği kısımda (kavşakta) n tipi malzemenin negatif yüklü elektronları ile p tipi malzemenin pozitif yüklü boşlukları birbirleri ile etkileşirler ve rekombine olurlar. Böylece bu bölge elektrik yükü bakımından nötr bölge haline gelir. Elektronların ve boşlukların, enerji açısından aşamayacakları genişliğe gelince bu nötr bölgenin oluşması durur. Elektrikçe nötr olan bu bölgeye arınma bölgesi (tabakası) (depletion layer) adı verilmiştir, Şekil 1 .
Şekil 1 . p-n kavşağının oluşturulması ve
arınma bölgesinin meydana gelişi.
Arınma bölgesi elektronlar ve boşluklar için bir enerji engeli gibi davranır. Öyleki ne elektronlar ne boşluklar bu enerji engelini aşarak karşı tarafa geçemezler. Dolayısıyla kavşak arınma bölgesi oluştuktan sonra kararlı duruma ulaşır. Bu nedenle enerji engeline potansiyel engeli (potential barrier) adı verilmiştir.Boşlukların p tipi taraftan n tipi tarafa; elektronların n tipi taraftan p tipi tarafa geçebilmeleri için bu potansiyel engelini aşacak enerji dışarıdan bir kaynaktan, örneğin bir emk kaynağından, onlara kazandırılmalıdır. Ancak bu kez de n veya p tarafının hangi tür gerilime bağlanacağı önem kazanır.
| < Önceki | Sonraki > |
|---|
